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位移传感器JDB-KT101-6

位移传感器JDB-KT101-6

量程: ±6mm

线性度: <0.5%

灵敏度(±10%): 35mV/V/mm

温度范围: -55到175℃

激励电压: 3Vrms

冲击极限: 1000g

重复性: <0.15%

外壳材料: 316 SST

JDB-KT101-6是一款LVDT位移传感器,其主要特点有:

1.     高分辨率

2.     优秀的线性度

3.     抗冲击

4.     结构紧凑

5.     重量轻

6.     高工作温度